场效应管参数符号意义
T a---环境温度C du---漏-衬底电容
T c---管壳温度C gd---栅-源电容
T j---结温C ds---漏-源电容
T jm---最大允许结温C iss---栅短路共源输入电容
T stg---贮成温度C oss---栅短路共源输出电容
V DSS---漏源击穿电压C rss---栅短路共源反向传输电容
I D(I D25)---漏极电流（T c=25℃，直流）di/dt---电流上升率（外电路参数）
R DS(on)---通态漏源电阻dv/dt---电压上升率（外电路参数）
P D---漏极耗散功率I DQ---静态漏极电流（射频功率管）
t rr---反向恢复时间I DSM---最大漏源电流
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压I DSS---栅-源短路时，漏极电流
V GSF--正向栅源电压（直流）I DS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
V GSR---反向栅源电压（直流）I G---栅极电流（直流）
V GS(th)---开启电压或阀电压I GDO---源极开路时，截止栅电流
C gs---漏-源电容I GSO---漏极开路时，截止栅电流
I DM---漏极脉冲电流I GSS---漏极短路时截止栅电流
刘亦菲裸
V DS---漏源电压（直流）I DSS1---对管第一管漏源饱和电流
V GS---栅源电压（直流）I DSS2---对管第二管漏源饱和电流
P DM---漏极最大允许耗散功率I u---衬底电流
I D(on)---通态漏极电流I pr---电流脉冲峰值（外电路参数）
t on---开通时间,T on=T d(on)+T r g fs---正向跨导
t d(on)---开通延迟时间G p---功率增益
t r---上升时间G ps---共源极中和高频功率增益
t off---关断时间,T off=T d(off)+T f G pG---共栅极中和高频功率增益
t d(off)---关断延迟时间G PD---共漏极中和高频功率增益
t f---下降时间g gd---栅漏电导
I GM---栅极脉冲电流g ds---漏源电导
I GP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数
I F---二极管正向电流K u---传输系数
R DS(on)---漏源通态电阻L---负载电感（外电路参数） 
R DS(of)---漏源断态电阻L D---漏极电感
R(th)jc---结壳热阻L s---源极电感
R(th)ja---结环热阻R GD---栅漏电阻
V DD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）R GS---栅源电阻
V GG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）R g---栅极外接电阻（外电路参数）
V ss---源极（直流）电源电压（外电路参数）R L---负载电阻（外电路参数）
V DS(on)---漏源通态电压P IN--输入功率
V GD---栅漏电压（直流）P OUT---输出功率
D---占空比（占空系数，外电路参数）V su---源衬底电压（直流）
P PK---脉冲功率峰值（外电路参数）V Du---漏衬底电压（直流）
I DS---漏源电流V Gu---栅衬底电压（直流）
I GF---正向栅电流Z o---驱动源内阻
I GR---反向栅电流η---漏极效率（射频功率管）
V DS(sat)---漏源饱和电压V n---噪声电压
T L---晶格温度(Lattice temp)/或指下限温度与T H相对a ID---漏极电流温度系数
T e---电子温度(Electron temp)T e=T L a rds---漏源电阻温度系数
I AR(I A)---雪崩电流（Avalanche Current）E AR---重复雪崩电压（Repetitive Avalanche Energy）
半导体二极管参数符号及其意义
T a---环境温度
T c---壳温
T j（T VJ）---结温
T jM（T VJM）---最高结温
T stg---温度补偿二极管的贮成温度
V RRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
I F（AV）---正向平均电流
I F---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定    的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最    大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 
t rr---反向恢复时间
P d(P tot)---总耗散功率
V F---正向压降（正向直流电压）
I RM---反向峰值电流
I FRM---正向重复峰值电流
P M---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
I FM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限
电流。
I F(ov)---正向过载电流 
I FMP---正向脉冲电流
I FSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
I RRM---反向重复峰值电流
V（BR）---击穿电压
V F（AV）---正向平均电压
V RM---反向峰值电压（最高测试电压）
V RWM---反向工作峰值电压
V R---反向工作电压（反向直流电压）
V s---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
V z---稳定电压
f---频率
I i--- ；发光二极管起辉电流
I P---峰点电流
I R（AV）---反向平均电流
I R（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加
反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反        向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
P K---最大开关功率
P MP---最大漏过脉冲功率
P MS---最大承受脉冲功率
P omax---最大输出功率
P o---输出功率
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
R th----热阻
t d---延迟时间
t fr---正向恢复时间
t f---下降时间
t gt---门极控制极开通时间
t g---电路换向关断时间
t off---关断时间
t on---开通时间
t r---上升时间
V c---整流输入电压
V DRM---断态重复峰值电压
a v---电压温度系数
a---温度系数
I GD---晶闸管控制极不触发电流
I GT---晶闸管控制极触发电流
i r---反向恢复电流
i R---反向总瞬时电流
I s---稳流二极管稳定电流
P FT（AV）---正向导通平均耗散功率
P FTM---正向峰值耗散功率
P FT---正向导通总瞬时耗散功率
P R---反向浪涌功率
R s(rs)----串联电阻
t s---存储时间
V op---工作电压
V p---峰点电压
I H---恒定电流、维持电流。
V th---阀电压（门限电压）
张信哲个人资料C s---管壳电容或封装电容
C TV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比C T---势垒电容
C t---总电容
I o---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
△ λ---光谱半宽度
△V F---正向压降差
李妍熙 申世京△V z---稳压范围电压增量
起诉费用C jo/C jn---结电容变化
C jo---零偏压结电容
C jv---偏压结电容
C j---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容C o---零偏压电容
C TC---电容温度系数
C vn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
I B2---单结晶体管中的基极调制电流
I CM---最大输出平均电流
I DR---晶闸管断态平均重复电流
I D---暗电流
I EB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
I EB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
I EM---发射极峰值电流
i F---正向总瞬时电流
I GFM---控制极正向峰值电流
I L---光电流或稳流二极管极限电流
I OM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许      连续通过锗检波二极管的最大工作电流
I op---工作电流
I rp---反向恢复电流
I RR---晶闸管反向重复平均电流
I RSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
I V---谷点电流
I zk---稳压管膝点电流
I ZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
I ZSM---稳压二极管浪涌电流
I z---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
P B---承受脉冲烧毁功率
P C---控制极平均功率或集电极耗散功率
P GM---门极峰值功率
P G---门极平均功率
P i---输入功率
P sc---连续输出功率
P SM---不重复浪涌功率
P ZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R BB---双基极晶体管的基极间电阻
R E---射频电阻
R F（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增        加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
R L---负载电阻
R z(ru)---动态电阻
V v---谷点电压
V B2B1---基极间电压
V BE10---发射极与第一基极反向电压
V B---反向峰值击穿电压
V EB---饱和压降
V FM---最大正向压降（正向峰值电压）
V GD---门极不触发电压
V GFM---门极正向峰值电压
V GRM---门极反向峰值电压
V GT---门极触发电压
V k---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
V n---中心电压
V OM---最大输出平均电压
V o---交流输入电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长
双极型晶体管参数符号及其意义
T a---环境温度
T c---管壳温度
T j---结温
t stg---温度补偿二极管的贮成温度
V CEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
I CM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
P d(P tot)---总耗散功率
眼线的画法
t rr---反向恢复时间
h FE---共发射极静态电流放大系数
t s---存贮时间
f T---特征频率
I CMP---集电极最大允许脉冲电流
P CM---集电极最大允许耗散功率
P c---集电极耗散功率
P o---输出功率
t d---延迟时间
t fr---正向恢复时间
t f---下降时间
t gt---门极控制极开通时间
t off---关断时间
t on---开通时间
t r---上升时间
T s---结温
V cc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
V EE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
av---电压温度系数
a---温度系数
B V cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BV cbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BV ceo---基极开路，CE结击穿电压
BV ces---基极与发射极短路CE结击穿电压
父爱文案简短催泪
BV ebo--- ；集电极开路EB结击穿电压
C cb---集电极与基极间电容
C ce---发射极接地输出电容
C c---集电极电容
C ib---共基极输入电容
C ic---集电结势垒电容
C ieo---共发射极开路输入电容
C ies---共发射极短路输入电容
C ie---共发射极输入电容
C i---输入电容
C jo/C jn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）