一种基于CMOS太赫兹传感器的高响应工作方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号 CN 105140248 A(43)申请公布日 2015.12.09(21)申请号 CN201510440031.3(22)申请日 2015.07.23(71)申请人 南京大学 地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号(72)发明人 纪小丽 廖轶明 吴福伟 闫锋 (74)专利代理机构...
2024-12-20 27 0
场效应管资料
大家平时都可以查到这些资料，不过也比较麻烦的。07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道 直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V...
2023-08-11 38 0
17-18《华南农业大学期末试卷》A答案
2017-2018 《纳米材料与器件导论》试卷A 答案和评分标准一、选择题（每小题 1 分，总共 20分）1、C 2、D 3、 B 4、A 5、D 6、C 7、C 8、A 9、A 10、D 11、C 12、B 13、C 14、D 1...
2023-08-08 43 0
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