专利名称：一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台专利类型：发明专利
发明人：赵泓达，李博，王磊，王然，张紫辰，张昆鹏，罗家俊，滕瑞申请号：CN202011515772.0
申请日：20201221
公开号：CN114646617A
公开日：
20220621
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种二次谐波表征半导体材料的方法及测量平台，方法包括：将初始光束分束为计量光束和工作光束；采用所述工作光束照射所述半导体材料获得表征所述半导体材料的二次谐波信号；采用监测所述计量光束获得的波动数据，修正所述二次谐波信号，以修正后的所述二次谐波信号作为所述半导体材料的表征信号。本发明提供的方法及测量平台用以解决现有激光器输出光束的功率产生波动，影响SHG信号的稳定性，进而影响后续半导体材料的缺陷参数提取的精确性的技术问题。实现了提高SHG信号的稳定性的技术效果。
申请人：中国科学院微电子研究所
李博地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京华沛德权律师事务所
代理人：房德权
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