常见存储器：RAM,SRAM,SSRAM、
DRAM,SDRAM,DDRSDRAM、ROM,。。。
1、什么是存储器
存储器单元实际上是时序逻辑电路的⼀种，是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。每个单元由若⼲三进制位构成，以表⽰存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构⾮常相似，故在VHDL语⾔中，通常由数组描述存储器。
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，⽤来存放程序和数据信息。计算机中全部信息，包括输⼊的原始数据、计算机程序、中间运⾏结果和最终运⾏结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存⼊和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常⼯作。
2、存储器的分类
构成存储器的存储介质主要采⽤半导体器件和磁性材料。存储器中最⼩的存储单位就是⼀个双稳态半导体电路或⼀个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储⼀个⼆进制代码。由若⼲个存储元组成⼀个存储单元，然后再由许多存储单元组成⼀个存储器。
根据存储材料的性能及使⽤⽅法的不同，存储器有⼏种不同的分类⽅法：
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（1）按存储介质分类
半导体存储器：⽤半导体器件组成的存储器。
磁表⾯存储器：⽤磁性材料做成的存储器。
（2）按存储⽅式分类
随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置⽆关。
顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间与存储单元的物理位置有关。
（3）按存储器的读写功能分类
只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，它是只能读出⽽不能写⼊的半导体存储器，在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存⼊并永久保存。当电源关闭时，ROM仍然可以保存数据，不会丢失。ROM⼀般⽤于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形⼀般是双列直插式（DIP）的集成块。
随机读写存储器(RAM)：既能读出⼜能写⼊的半导体存储器。当电源关闭时，存于RAM中的数据会
丢失。我们通常购买或升级的内存条就是⽤作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在⼀起的⼀⼩块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占⽤的空间。
（4）按信息的可保存性分类
⾮永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。
永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。
（5）按在计算机系统中的作⽤分类
主存储器（内存）：⽤来存放当前正在执⾏的数据和程序，和CPU直接交换信息，其速度⾼、容量较⼩、每位价位⾼。它仅⽤于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。主存的⼯作⽅式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体，存储体中每个单元能够存放⼀串⼆进制码表⽰的信息，该信息的总位数称为⼀个存储单元的字长。存储 单元的地址与存储在其中的信息是⼀⼀对应的，单元地址只有⼀个，固定不变，⽽存储在其中的信息是可以更换的。
辅助存储器（外存储器）：主要⽤于存放当前不活跃的程序和数据，其速度慢、容量⼤、每位价位低。外存通常是磁性介质或光盘、硬盘等，能长期保存信息。
缓冲存储器：主要在两个不同⼯作速度的部件起缓冲作⽤。
3、只读存储器（ROM）
3.1、ROM的分类有哪些
ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。这是⼀种线路最简单半导体电路，通过掩模⼯艺，⼀次性制造，其中的代码与数据将永久保存，不能进⾏修改，即使机器停电，这些数据也不会丢失。ROM⼀般⽤于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形⼀般是双列直插式（DIP）的集成块。在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。如果发现内部数据有错，则只有舍弃不⽤，重新订做⼀份。
现在⽐较流⾏的只读存储器是闪存( Flash Memory)，它属于 EEPROM(电擦除可编程只读存储器)的升级，可以通过电学原理反复擦写。现在⼤部分BIOS程序就存储在 FlashROM芯⽚中。U盘和固态硬盘(SSD)也是利⽤闪存原理做成的。
ROM分为可编程ROM和Flash ROM，可编程ROM⽤分为PROM、EPROM、EEPROM，Flash ROM⼜分为NOR Flash和NADN Flash。
3.2、可编程ROM
PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是⼀次性的，也就是软件灌⼊后，就⽆法修改
了，这种是早期的产品，现在已经不可能使⽤了，⽽EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是⼀种通⽤的存储器。另外⼀种EEPROM是通过电⼦擦出，价格很⾼，写⼊时间很长，写⼊很慢。
鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯⽚⼤部分都采⽤EEPROM。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电⼦信号来修改其内容的，⽽且是以Byte为最⼩修改单位，不必将资料全部洗掉才能写⼊，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写⼊数据时，仍要利⽤⼀定的编程电压，此时，只需⽤⼚商提供的专⽤刷新程序就可以轻⽽易举地改写内容，所以，它属于双电压芯⽚。借助于EEPROM芯⽚的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打⾄“ON”的位置，即给芯⽚加上相应的编程电压，就可以⽅便地升级；平时使⽤时，则把跳线开关打⾄“OFF”的位置，防⽌病毒对BIOS芯⽚的⾮法修改。
⼿机软件⼀般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写⼊通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要⼯作（通话）要做，如果写⼊，漫长的等待是让⽤户忍⽆可忍的。
3.3、Flash ROM
Flash ROM指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是⼀种⾮易失性的内存，属于EEPROM的改进产品，Flash属于真正的单电压芯⽚，它的读和写操作都是在单电压下进⾏。它的最⼤特点是必须按块(Block或Sector)擦除(每个区块的⼤⼩不定，不同⼚家的产品有不同的规格)，⽽EEPROM则可以⼀次只擦除⼀个字节(Byte)。Flash ROM 是利⽤浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。
FALSH结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电⼦可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3⾥⽤的就是这种存储器。在过去的20年⾥，嵌⼊式系统⼀直使⽤ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然⽽近年来Flash全⾯代替了ROM（EPROM）在嵌⼊式系统中的地位，⽤作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使⽤（U盘）。
⽬前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
药渍是什么性癖 NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是⼀样，⽤户可以直接运⾏装载在NOR FLASH⾥⾯的代码，这样可以减少SRAM的容量从⽽节约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以⼀次读取⼀块的形式来进⾏的，通常是⼀次读取512个字节，采⽤这种技术的Flash⽐较廉价。⽤户不能直接运⾏NAND Flash上的代码，因此
好多使⽤NAND Flash的开发板除了使⽤NAND Flah以外，还作上了⼀块⼩的NOR Flash来运⾏启动代码。
⼀般⼩容量的⽤NOR Flash，因为其读取速度快，多⽤来存储操作系统等重要信息，⽽⼤容量的⽤NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应⽤是嵌⼊式系统采⽤的DOC（Disk On Chip）和我们通常⽤的"闪盘"，可以在线擦除。⽬前市⾯上的FLASH 主要来⾃
Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，⽽⽣产NAND Flash的主要⼚家有Samsung和Toshiba。
NAND Flash和NOR Flash的⽐较：
NOR和NAND是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。Intel于1988年⾸先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM⼀统天下的局⾯。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每⽐特的成本，更⾼的性能，并且象磁盘⼀样可以通过接⼝轻松升级。但是经过了⼗多年之后，仍然有相当多的硬件⼯程师分不清NOR和NAND闪存。
许多业内⼈⼠也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为⼤多数情况下闪存只是⽤来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合⼀些。⽽NAND则是⾼数据存储密度的理想解决⽅案。
NOR是现在市场上主要的⾮易失闪存技术。NOR⼀般只⽤来存储少量的代码；NOR主要应⽤在代码
存储介质中。NOR的特点是应⽤简单、⽆需专门的接⼝电路、传输效率⾼，它是属于芯⽚内执⾏(XIP, eXecute In Place)，这样应⽤程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运⾏，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的⼩容量时具有很⾼的成本效益，但是很低的写⼊和擦除速度⼤⼤影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接⼝，有⾜够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每⼀个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的⼤部分。
NAND结构能提供极⾼的单元密度，可以达到⾼存储密度，并且写⼊和擦除的速度也很快。应⽤NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接⼝。
（1）性能⽐较
flash闪存是⾮易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程。任何flash器件的写⼊操作只能在空或已擦除的单元内进⾏，所以⼤多数情况下，在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。NAND器件执⾏擦除操作是⼗分简单的，⽽NOR则要求在进⾏擦除前先要将⽬标块内所有的位都写为1。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进⾏的，执⾏⼀个写⼊/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进⾏的，执⾏相同的操作最多只需要4ms。
执⾏擦除时块尺⼨的不同进⼀步拉⼤了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的⼀套写⼊操作(尤其是更新⼩⽂件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进⾏。这样，当选择存储解决⽅案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
● NOR的读速度⽐NAND稍快⼀些。
● NAND的写⼊速度⽐NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远⽐NOR的5s快。
●⼤多数写⼊操作需要先进⾏擦除操作。
● NAND的擦除单元更⼩，相应的擦除电路更少。
(注：NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、⼤⼩不同⽽不同，⽐如，4M FLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，⽽有的需要最⼤6s。)
（2）接⼝差别
NOR flash带有SRAM接⼝，有⾜够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每⼀个字节。
NAND器件使⽤复杂的I/O⼝来串⾏地存取数据，各个产品或⼚商的⽅法可能各不相同。8个引脚⽤来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采⽤512字节的块，这⼀点有点像硬盘管理此类操作，很⾃然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
（3）容量和成本
NAND flash的单元尺⼨⼏乎是NOR器件的⼀半，由于⽣产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺⼨内提供更⾼的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的⼤部分，⽽NAND flash只是⽤在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应⽤在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最⼤。
（4）可靠性和耐⽤性
采⽤flahs介质时⼀个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是⾮常合适的存储⽅案。可以从寿命(耐⽤性)、位交换和坏块处理三个⽅⾯来⽐较NOR和NAND的可靠性。
A、寿命(耐⽤性)
在NAND闪存中每个块的最⼤擦写次数是⼀百万次，⽽NOR的擦写次数是⼗万次。NAND存储器除了具有10⽐1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺⼨要⽐NOR器件⼩8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少⼀些。
B、位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发⽣的次数要⽐NOR多)，⼀个⽐特(bit)位会发⽣反转或被报告反转了。
⼀位的变化可能不很明显，但是如果发⽣在⼀个关键⽂件上，这个⼩⼩的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读⼏次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采⽤错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使⽤NAND闪存的时候，同时使⽤EDC/ECC算法。
这个问题对于⽤NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果⽤本地存储设备来存储操作系统、配置⽂件或其他敏感信息时，必须使⽤EDC/ECC系统以确保可靠性。
C、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努⼒，但发现成品率太低，代价太⾼，根本不划算。
NAND器件需要对介质进⾏初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可⽤。在已制成的器件中，如果通过可靠的⽅法不能进⾏这项处理，将导致⾼故障率。
（5）、易于使⽤
可以⾮常直接地使⽤基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上⾯直接运⾏代码。
由于需要I/O接⼝，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取⽅法因⼚家⽽异。
在使⽤NAND器件时，必须先写⼊驱动程序，才能继续执⾏其他操作。向NAND器件写⼊信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写⼊，这就意味着在NAND器件上⾃始⾄终都必须进⾏虚拟映射。
（6）、软件⽀持
当讨论软件⽀持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和⾼⼀级的⽤于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运⾏代码不需要任何的软件⽀持，在NAND器件上进⾏同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进⾏写⼊和擦除操作时都需要MTD。
使⽤NOR器件时所需要的MTD要相对少⼀些，许多⼚商都提供⽤于NOR器件的更⾼级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等⼚商所采⽤。
4、随机读写存储器RAM
4.1、RAM的分类有哪些？
随机存储器（Random Access Memory）表⽰既可以从中读取数据，也可以写⼊数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是⽤作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在⼀起的⼀⼩块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占⽤的空间。⽬前市场上常见的内存条有1G/条，2G/条，4G/条等。
RAM 分为两种：SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
（1）SRAM
SRAM( Static RAM，静态随机存储器)的存储单元是由晶体管和相关元件做成的锁存器，每个存储单元具有锁存“0”和“1”信号的功能。它速度快且不需要刷新操作，但集成度差和功耗较⼤，通常⽤于制造容量⼩但效率⾼的CPU缓存。
SRAM 是利⽤双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。DRAM是利⽤MOS（⾦属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度⾮常快，是⽬前读写最快的存储设备了，但是它也⾮常昂贵，所以只在要求很苛刻的地⽅使⽤，譬如CPU的⼀级缓冲，⼆级缓冲。王宝强
SRAM（Static RAM）不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
（2）、DRAM
DRAM( Dynamic RAM，动态随机存储器)的存储单元是由电容和相关元件做成的，电容内存储电荷的多寡代表信号0和1。电容存在漏电现象，电荷不⾜会导致存储单元数据出错，所以DRAM需要周期性刷新，以保持电荷状态。DRAM结构较简单且集成度⾼，通常⽤于制造内存条中的存储芯⽚。
DRAM保留数据的时间很短，速度也⽐SRAM慢，不过它还是⽐任何的ROM都要快，但从价格上来
说DRAM相⽐SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM（Dynamic RAM）每隔⼀段时间，要刷新充电⼀次，否则内部的数据即会消失。
因此SRAM具有较⾼的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较⼩的体积，但是SRAM却需要很⼤的体积，且功耗较⼤。所以在主板上SRAM存储器要占⽤⼀部分⾯积。
4.2、RAM的⼯作原理是什么？
SRAM利⽤寄存器来存储信息，所以⼀旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会⼀直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
DRAM 利⽤MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，⼀个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，⽆电荷代表0。但时间⼀长，由于栅极漏电，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这样会造成数据丢失，因此需要⼀个额外设电路进⾏内存刷新操作。刷新操作定期对电容进⾏检查，若电量⼤于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量⼩于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。这也是DRAM中的D(Dynamic动态)的意思。由于DRAM只使⽤⼀个MOS管来存信息，所以集成度可以很⾼，容量能够做的很⼤。SDRAM⽐它多了⼀个与CPU时钟同步。
4.3、SRAM
SRAM的速率⾼、性能好，它主要有如下应⽤：
（1）、CPU与主存之间的⾼速缓存。
（2）、CPU内部的L1／L2或外部的L2⾼速缓存。
苏州景点排行榜 Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的⼀级缓存(L1 Cache）、⼆级缓存(L2 Cache）、三级缓存(L3 Cache）这些数据，它位于CPU与内存之间，是⼀个读写速度⽐内存更快的存储器。当CPU向内存中写⼊或读出数据时，这个数据也被存储进⾼速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从⾼速缓冲存储器读取数据，⽽不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没
有，CPU会再去读取内存中的数据。
Cache⼀般使⽤SRAM制造，它与CPU之间交换数据的速度⾼于DRAM，所以被称作"⾼速缓冲存储器"，简称为"⾼速缓存"。由于CPU 的信息处理速度常常超过其它部件的信息传递速度，所以使⽤⼀般的DRAM来作为信息存储器常常使CPU处于等待状态，造成资源的浪费。Cache就是为了解决这个问题⽽诞⽣的。在操作系统启动以后，CPU就把DRAM中经常被调⽤的⼀些系统信息暂时储存在Cache
⾥⾯，以后当CPU需要调⽤这些信息时，⾸先到Cache⾥去，如果到了，就直接从Cache⾥读取，这样利⽤Cache的⾼速性能就可以节省很多时间。⼤多数CPU在⾃⾝中集成了⼀定量的Cache，⼀般被称作"⼀级缓存"或"内置Cache"。这部分存储器与CPU的信息交换速度是最快的，但容量较⼩。⼤多数主板上也集成了Cache，⼀般被称作"⼆级缓存"或"外置Cache"，⽐内置Cache容量⼤些，⼀般可达到256K，现在有的主板已经使⽤了512K～2M的⾼速缓存。在最新的Pentium⼆代CPU内部，已经集成了⼀级缓存和⼆级缓存，那时主板上的Cache就只能叫作"三级缓存"了。
SSRAM（Synchronous SRAM）即同步静态随机存取存储器。同步是指Memory⼯作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，⽽是由指定地址进⾏数据读写。
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输⼊和其它控制信号均于时钟信号相关。这⼀点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独⽴于时钟，数据输⼊和输出都由地址的变化控制。
4.4、DRAM
DRAM分为很多种，按内存技术标准可分为FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、，DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。
通常⼈们所说的SDRAM 是DRAM 的⼀种，它是同步动态存储器，利⽤⼀个单⼀的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，⽽是⾃由指定地址进⾏数据读写。使⽤SDRAM不但能提⾼系统表现，还能简化设计、提供⾼速的数据传输。在嵌⼊式系统中经常使⽤。
DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本⼀样的，不同之处在于它可以在⼀个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是⽬前电脑中⽤得最多的内存，在很多⾼端的显卡上，也配备了⾼速DDR RAM 来提⾼带宽，这可以⼤幅度提⾼3D加速卡的像素渲染能⼒。
RDRAM（Rambus DRAM）：总线式动态随机存储器，是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的⼀项专利技术，它的数据传输率最⾼可达800MHZ，⽽它的总线宽度却仅为16bit，远远⼩于现在的SDRAM的64bit。
（1）SDRAM
(Synchronous Dynamic RAM，同步动态随机存储器)采⽤3.3V⼯作电压，内存数据位宽64位。 SDRAM与CPU通过⼀个相同的时钟频率锁在⼀起，使两者以相同的速度同步⼯作。 SDRAM它在每⼀个时钟脉冲的上升沿传输数据SDRAM内存⾦⼿指为168脚。
SDRAM内存有以下⼏种：PC66/100/133150/166，核⼼频率分别为66MHz，100Mz133MHz，150MHz，166MHz。时钟频率、等效频率与核⼼频率相等单根 SDRAM内存数据传输带宽最⾼为 166MHz × 64bit ÷ 8 = 1.3GB/s。
核⼼频率：是内存颗粒内部存储单元的⼯作频率，即电容的刷新频率。它是内存⼯作的基础频率，其他频率都是建⽴在它基础之上的。 时钟频率：⼜称内存总线频率，它是主板时钟芯⽚提供给内存的⼯作频率。
等效频率：⼜称等效数据传输频率，它是内存与外界据交换的实际频率。通常内存标签上贴的就是等效效率。
（2）DDR SDRAM
金融工程就业前景 ( Double data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)采⽤2.5V⼯作电压，内存数据位宽64位。 DDR SDRAM (简称DDR内存)⼀个时钟脉冲传输两次数据，分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输⼀次数据，因此称为双倍速率的SDRAM。
DDR内存⾦⼿指为184脚。DDR内存有以下⼏种:：DDR 200 / 266 / 333400 / 500。核⼼频率与时钟频率相等，分别为100 MHz， 133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 250 MHz，等效频分别为200 MHz，
266 MHz， 333 MHz， 400 MHz， 500 MHz，请注意， DDR内存的等效频率是时钟频率的两倍，因为DDR内存是双倍速率⼯作的。DDR内存核⼼采⽤2位数据预读取，也就是⼀次(⼀个脉冲)取2位。
⽽DDR内存核⼼频率等于时钟频率，等效频率是时钟频率的2倍，所以内存核⼼⼀次(⼀个脉冲)取出的数能及时地⼀次(⼀个脉冲)传输出去。单根DDR内存数据传输带宽最⾼为500 MHz×64 bit 8-4 GB/s。
（3）DDR2 SDRAM
(Double Data Rate 2 SDRAM)采⽤1.8V⼯作电压，内存数据位宽64位。 DDR2内存和DDR内存⼀样，⼀个时钟脉冲传输两次数据，但DDR2内存却拥有两倍于上⼀代DDR内存的预读取能⼒，即4位数据预读取。
DDR 2内存⾦⼿指为240脚。DDR2内存有以下⼏种: DDR2 533 / 667 / 800 / 066。核⼼频率分别为133 MHz， 166 MHz， 200 MHz，266 MHz，时钟频率分别为: 266 MHz，333 MHz， 400 MHz， 533 MHz，等效频率分别为533 MHz， 667 MHz， 800 MHz， 1066 MHz。
前⾯已经说过， DDR2内存核⼼采⽤4位数据预读取，也就是⼀次(⼀个脉冲)取4位，如果和上⼀代DDR内存⼀样，时钟频率与核⼼频率相等，等效频率是时钟频率2倍的话，就⽆法及时地将取出的数传输出去；所以DDR 2内存的时钟频率是核⼼频率的2倍，这样才能将相同时间间隔内从内存核⼼取出的数，在相同时间间隔内传输出去。
单根DDR2内存的数据传输带宽最⾼为1066 MH2z X 64 bit 8 - 8.6 GB/s。
（4）DDR3 SDRAM
(Double Data Rate 3 SDRAM)采⽤1.5 V⼯作电压，内存数据位宽64位。同样， DDR3内存拥有两倍于上⼀代DDR2内存的预读取能⼒，即8位数据预读取。
对于DDR 3内存，可以得出以下关系：时钟频率是核⼼频率的4倍，等效频率是时钟频率的2倍，也就是说DDR3内存等效频率是核⼼频率的8倍。
DDR 3内存有以下⼏种: DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000。核⼼频率分别为133 MHz，166 MHz， 200 MHz， 225 MHz， 250 MHz，时钟频率分别分533 MHz， 667 MHz， 800 MHz，900 MHz， 1000 MHz，等效频率分别为: 1066 MHz， 1333 MHz， 1600 MHz，1800 MHz，2000 MHz。单根DDR3内存的数据传输带宽最⾼为2000 MHz × 64 bit÷ 8 -16 GB/s。
我敬佩的一个人作文500字 （5）DDR4 SDRAM
(Double Data Rate 4 SDRAM)采⽤1.2V⼯作电压，内存数据位宽64位， 16位数据预读取。取消双通道机制，⼀条内存即为⼀条通道。⼯作频率最⾼可达4266 MHz，单根DDR4内存的数据传输带宽最⾼为34 GB/s。
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