内存（RAM或ROM）和FLASH存储的区别总结
1.什么是内存
什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有⼀个很重要的部分，就是存储器。存储器是⽤来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常⼯作。存储器的种类很多，按其⽤途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器⼜称内存储器（简称内存），辅助存储器⼜称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相⽐就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并⽤其存储数据的部件，存放当前正在使⽤的（即执⾏中）的数据和程序，它的物理实质就是⼀组或多组具备数据输⼊输出和数据存储功能的集成电路，内存只⽤于暂时存放程序和数据，⼀旦关闭电源或发⽣断电，其中的程序和数据就会丢失。
2.内存⼯作原理：
内存是⽤来存放当前正在使⽤的（即执⾏中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的'动态'，指的是当我们将数据写⼊DRAM后，经过⼀段时间，数据会丢失，因此需要⼀个额外设电路进⾏内存刷新操作。
具体的⼯作过程是这样的：⼀个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，⽆电荷代表0。但时间⼀长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进⾏检查，若电量⼤于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量⼩于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是⼀次性的，也就是软件灌⼊后，就⽆法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使⽤了，⽽EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是⼀种通⽤的存储器。另外⼀种EEPROM是通过电⼦擦出，价格很⾼，写⼊时间很长，写⼊很慢。
从⼀有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM⼀直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM 等，内存的速度⼀直在提⾼且容量也在不断的增加。楼梯踏步
3.ROM和RAM指的都是半导体存储器
1）ROM是Read Only Memory的缩写
是⼀种半导体内存，其特性是⼀旦储存资料就⽆法再将之改变或删除。通常⽤在不需经常变更资料的电⼦或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭⽽消失。
只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英⽂简称ROM。ROM所存数据，⼀般是装⼊整机前事先写好的，整机⼯作过程中只能读出，⽽不像随机存储器那样能快速地、⽅便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较⽅便，因⽽常⽤于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器（如字符发⽣器）可以通⽤之外，不同⽤户所需只读存储器的内容不同。
为便于使⽤和⼤批量⽣产，进⼀步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。EPROM需⽤紫外光长时间照射才能擦除，使⽤很不⽅便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ，克服了EPROM的不⾜，但集成度不⾼，价格较贵。于是⼜开发出⼀种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器。其集成度⾼、功耗低、体积⼩，⼜能在线快速擦除，因⽽获得飞速发展，并有可能取代现⾏的硬盘和软盘⽽成为主要的⼤容量存储媒体。⼤部分只读存储器⽤⾦属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。
2）RAM是Random Access Memory的缩写。
⼜称为随机存取存储器；存储单元的内容可按需随意取出或存⼊，且存取的速度与存储单元的位置⽆关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要⽤于存储短时间使⽤的程序。
简单地说，在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发
性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(⼀次写⼊，反复读取)，它的特点与RAM 相反。ROM⼜分⼀次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。
ROM在系统停⽌供电的时候仍然可以保持数据，⽽RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
4.RAM分为两⼤类：
1）⼀种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度⾮常快，是⽬前读写最快的存储设备了，但是它也⾮常昂贵，所以只在要求很苛刻的地⽅使⽤，譬如CPU的⼀级缓冲，⼆级缓冲。
2）另⼀种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也⽐SRAM慢，不过它还是⽐任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相⽐SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这⾥介绍其中的⼀种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本⼀样的，不同之处在于它可以在⼀个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是⽬前电脑中⽤
得最多的内存，⽽且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外⼀种内存标准－Rambus DRAM。在很多⾼端的显卡上，也配备了⾼速DDR RAM来提⾼带宽，这可以⼤幅度提⾼3D加速卡的像素渲染能⼒。
5.再不明⽩的请看例⼦：
举个例⼦，⼿机软件⼀般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写⼊通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要⼯作（通话）要做，如果写⼊，漫长的等待是让⽤户忍⽆可忍的。
FLASH存储器⼜称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电⼦可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3⾥⽤的就是这种存储器。在过去的20年⾥，嵌⼊式系统⼀直使⽤ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然⽽近年来Flash全⾯代替了ROM（EPROM）在嵌⼊式系统中的地位，⽤作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直
接当硬盘使⽤（U盘）。
⽬前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是⼀样，⽤户可以直接运⾏装载在NOR FLASH⾥⾯的代码，这样可以减少SRAM的容量从⽽节约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以⼀次读取⼀块的形式来进⾏的，通常是⼀次读取512个字节，采⽤这种技术的Flash⽐较廉价。⽤户不能直接运⾏NAND Flash上的代码，因此好多使⽤NAND Flash的开发板除了使⽤NAND Flah以外，还作上了⼀块⼩的NOR Flash来运⾏启动代码。
⼀般⼩容量的⽤NOR Flash，因为其读取速度快，多⽤来存储操作系统等重要信息，⽽⼤容量的⽤NAND FLASH，最常见的NAND FLASH 应⽤是嵌⼊式系统采⽤的DOC（Disk On Chip）和我们通常⽤的'闪盘'，可以在线擦除。⽬前市⾯上的FLASH 主要来⾃Intel，AMD，Fujitsu 和Toshiba，⽽⽣产NAND Flash的主要⼚家有Samsung和Toshiba。
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问题1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？
歌手苏丹
答：名词解释如下
DRAM--------动态随即存取器，需要不断的刷新，才能保存数据，⽽且是⾏列地址复⽤的，许多都有页模式
SRAM--------静态的随机存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，⽽且⼀般不是⾏列地址复⽤的
SDRAM-------同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步
问题2：为什么DRAM要刷新，SRAM则不需要？
答：这是由RAM的设计类型决定的，DRAM⽤了⼀个T和⼀个RC电路，导致电容会漏电和缓慢放电，所以需要经常刷新来保存数据
问题3：我们通常所说的内存⽤的是什么呢？这三个产品跟我们实际使⽤有什么关系？
答：内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“
内存”是指DRAM。⽽SRAM⼤家却接触的很少。
问题4：为什么使⽤DRAM⽐较多、⽽使⽤SRAM却很少？
答：1）因为制造相同容量的SRAM⽐DRAM的成本⾼的多，正因为如此，才使其发展受到了限制。因此⽬前SRAM基本上只⽤于CPU内部的⼀级缓存以及内置的⼆级缓存。仅有少量的⽹络服务器以及路由器上能够使⽤SRAM。
2）存储单元结构不同导致了容量的不同：⼀个DRAM存储单元⼤约需要⼀个晶体管和⼀个电容（不
包括⾏读出放⼤器等），⽽⼀个SRAM存储单元⼤约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现⼯艺问题，容量
较SRAM⼤，但是读写速度不如SRAM。
问题5：⽤得最多的DRAM有什么特点呢？它的⼯艺是什么情况？（通常所说的内存就是DRAM）
答：1）DRAM需要进⾏周期性的刷新操作，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是⼀种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，⽽不管前⼀次访问的是哪⼀个位置。
2）DRAM和SDRAM由于实现⼯艺问题，容量较SRAM⼤。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期⼩于10ns了。
3）SDRAM虽然⼯作频率⾼，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替⽅式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成⼀个读写操作（当然除去刷新操作）。
4）其实现在的主流⾼速存储器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。⽬前可以⽅便买到的SSRAM最⼤容量是8Mb/⽚，最⼤⼯作速度是166MHz；可以⽅便买到的SDRAM最⼤容量是128Mb/⽚，最⼤⼯作速度是133MHz。
问题6：⽤得⽐较少但速度很快，通常⽤于服务器cache的SRAM有什么特点呢？
答：1）SRAM是静态的，DRAM或SDRAM是动态的，静态的是⽤的双稳态触发器来保存信息，⽽动态的是⽤电⼦，要不时的刷新来保持。SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中⽂含义为静态随机访问存储器，它是⼀种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。
2）SRAM其实是⼀种⾮常重要的存储器，它的⽤途⼴泛。SRAM的速度⾮常快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采⽤的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构⾮常复杂。
3）从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独⽴于时钟，数据输⼊和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输⼊和其它控制信号均于时钟信号相关。
最后要说明的⼀点：
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是⼀种伪装成SRAM的DRAM。
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关于Nor和Nand的介绍和区别，在⽹络上有很多，如果不是经常⽤的话，还真的⽆法说出个所以然来。我也是转帖⽹络上的，⽬的是经常能看看。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。Intel于1988年⾸先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM⼀统天下的局⾯。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每⽐特的成本，更⾼的性能，并且象磁盘⼀样可以通过接⼝轻松升级。但是经过了⼗多年之后，仍然有相当多的硬件⼯程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使⽤。许多业内⼈⼠也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为⼤多数情况下闪存只是⽤来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合⼀些。⽽NAND则是⾼数据存储密度的理想解决⽅案。
⼀.存储区别⽐较
  NOR的特点是芯⽚内执⾏(XIP, execute In Place)，这样应⽤程序可以接在flash闪存内运⾏，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很⾼，在1～4MB的⼩容量时具有很⾼的成本效益，但是很低的写⼊和擦除速度⼤⼤影响了它的性能。
  NAND结构能提供极⾼的单元密度，可以达到⾼存储密度，并且写⼊和擦除的速度也很快。应⽤NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接⼝。
⼆.性能⽐较
  flash闪存是⾮易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程。任何flash器件的写⼊操作只能在空或已擦除的单元内进⾏，所以⼤多数情况下，在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。NAND器件执⾏擦除操作是⼗分简单的，⽽NOR则要求在进⾏擦除前先要将⽬标块内所有的位都写为
0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进⾏的，执⾏⼀个写⼊/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进⾏的，执⾏相同的操作最多只需要4ms。
执⾏擦除时块尺⼨的不同进⼀步拉⼤了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的⼀套写⼊操作(尤其是更新⼩⽂件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进⾏。这样，当选择存储解决⽅案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
  ● NOR的读速度⽐NAND稍快⼀些。
● NAND的写⼊速度⽐NOR快很多。
  ● NAND的4ms擦除速度远⽐NOR的5s快。
●⼤多数写⼊操作需要先进⾏擦除操作。
● NAND的擦除单元更⼩，相应的擦除电路更少。
三.接⼝差别
NOR flash带有SRAM接⼝，有⾜够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每⼀个字节。
NAND器件使⽤复杂的I/O⼝来串⾏地存取数据，各个产品或⼚商的⽅法可能各不相同。8个引脚⽤来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采⽤512字节的块，这⼀点有点像硬盘管理此类操作，很⾃然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。四.容量和成本
NAND flash的单元尺⼨⼏乎是NOR器件的⼀半，由于⽣产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺⼨内提供更⾼的容量，也就相应地降低了价格。
毕业论文的格式NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的⼤部分，⽽NAND flash只是⽤在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应⽤在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最⼤。
五.可靠性和耐⽤性
采⽤flahs介质时⼀个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是⾮常合适的存储⽅案。可以从寿命(耐⽤性)、位交换和坏块处理三个⽅⾯来⽐较NOR和NAND的可靠性。
有趣的春联
六.寿命(耐⽤性)
在NAND闪存中每个块的最⼤擦写次数是⼀百万次，⽽NOR的擦写次数是⼗万次。NAND存储器除了具有10⽐1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺⼨要⽐NOR器件⼩8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少⼀些。
七.位交换问题
  所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发⽣的次数要⽐NOR多)，⼀个⽐特位会发⽣反转或被报告反转了。
  ⼀位的变化可能不很明显，但是如果发⽣在⼀个关键⽂件上，这个⼩⼩的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读⼏次就可能解决了。
  当然，如果这个位真的改变了，就必须采⽤错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使⽤NAND闪存的时候，同时使⽤EDC/ECC算法。
这个问题对于⽤NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果⽤本地存储设备来存储操作系统、配置⽂件或其他敏感信息时，必须使⽤EDC/ECC系统以确保可靠性。 
⼋.坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努⼒，但发现成品率太低，代价太⾼，根本不划算。
NAND器件需要对介质进⾏初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可⽤。在已制成的器件中，如果通过可靠的⽅法不能进⾏这项处理，将导致⾼故障率。易于使⽤可以⾮常直接地使⽤基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上⾯直接运⾏代码。
由于需要I/O接⼝，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取⽅法因⼚家⽽异。
在使⽤NAND器件时，必须先写⼊驱动程序，才能继续执⾏其他操作。向NAND器件写⼊信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写⼊，这就意味着在NAND器件上⾃始⾄终都必须进⾏虚拟映射。
qq音乐mv怎么下载九.软件⽀持
当讨论软件⽀持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和⾼⼀级的⽤于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运⾏代码不需要任何的软件⽀持，在NAND器件上进⾏同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进⾏写⼊和擦除操作时都需要MTD。
使⽤NOR器件时所需要的MTD要相对少⼀些，许多⼚商都提供⽤于NOR器件的更⾼级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等⼚商所采⽤。
运动会作文驱动还⽤于对DiskOnChip产品进⾏仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗。