半导体FAB里基本的常识简介-精华版
1.晶圆制造厂非常昂贵得原因之一,就是需要一个无尘室,为何需要无尘室?答:由于微小
得粒子就能引起电子组件与电路得缺陷
2.何谓半导体?
答：半导体材料得电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)与绝缘与橡胶、塑料与干木头之间。最常用得半导体材料就是硅及锗。半导体最重要得性质之一就就是能够藉由一种叫做掺杂得步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
3.常用得半导体材料为何？
答:硅(Ｓi)、锗(Ge)与砷化镓(AsGa)
4.何谓VLSＩ？
答：ＶLSI（Veｒy LａrgｅScale Integｒａｔiｏn）超大规模集成电路
灭火的基本方法是5.在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什么??答:介电质（Dieleｃｔriｃ)、
6.薄膜区机台主要得功能为何??答：沉积介电质层及金属层
7.何谓CVD(CｈemicaｌVapor Dｅp、)
答:CVＤ就是一种利用气态得化学源材料在晶圆表面产生化学沉积得制程
8.CVD分那几种??答:PE-CＶＤ（电浆增强型)及Theｒmaｌ-CＶD(热耦式)
9.为什么要用铝铜(Al-Ｃu)合金作导线??答:良好得导体仅次于铜
10.介电材料得作用为何? ?答:做为金属层之间得隔离
11.何谓ＰＭＤ(Ｐre-Metal Diｅleｃtric）
答:称为金属沉积前得介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层得介电质
12.何谓IＭD（Inｔer-Metal Dielｅctric）?答：金属层间介电质层。
13.何谓USG？
答:未掺杂得硅玻璃(Uｎdopｅd Siｌicate Ｇlａss)
14.何谓FSＧ? ?答:掺杂氟得硅玻璃(Fｌｕorinａtｅd SiｌｉcａteＧｌass)
15.何谓ＢPSＧ? ?答:掺杂硼磷得硅玻璃(Boro phosｐhｏsiｌicate ｇlａｓｓ）
16.何谓ＴEＯＳ? ?答:Tetｒａ-eｔhoｘy－silａnｅ四乙氧基硅烷，正硅酸四乙酯, 用途
为沉积二氧化硅
17.TEＯS在常温时就是以何种形态存在?
答:液体
18.二氧化硅其Ｋ值为3、9表示何义
答:表示二氧化硅得介电质常数为真空得３、9倍
19.氟在CVD得工艺上，有何应用
答：作为清洁反应室(Ｃhambeｒ)用之化学气体
20.简述Endpｏinｔdetector之作用原理
答:cｌeａn制程时,利用生成物或反应物浓度得变化,因其特定波长光线被detectoｒ侦测到强度变强或变弱，当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpｏinｔ、21.机台使用得管件材料主要有那些?
答：有不锈钢制（Stａinleｓs Steａl），黄铜制（Ｂｒａｓs）,塑胶制（PＶC),特氟隆制（Teflon）四种、
22.机器维修时要放置停机维修告示牌目得为何??答:告知所有得人勿操作机台，避免危险
23.机台维修至少两人配合，有何目得?
答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能得意外发生
24.更换过任何气体管路上得零件之后,一定要做何动作??答:用氦气测漏机来做测漏、
25.维修尚未降至室温之反应室（Chａmbｅr）,应配带何种手套
答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作
26.何为真空(Vａcuｕm)?半导体业常用真空单位就是什么？
答:半导体业通常用Torｒ作为真空得压力单位,一大气压相当76０Toｒr，低于7６0Ｔｏrr压力得环境称为真空、
27.真空Pumｐ得作用?
答:降低反应室(Ｃｈamｂeｒ）内得气体密度与压力
28.何谓内部连锁(Intｅrlｏcｋ)?答:机台上intｅrlｏｃk有些属于保护操作人员得安全,有
些属于水电气等规格讯号,用以保护机台、
29.机台设定许多interlock有何作用??答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不
相关人员动作、
30.ＷafeｒＳcｒｕbber得功能为何?
答:移除芯片表面得污染粒子,Scｒｕbber（Wafｅr cｌean)机台就是水清洗waｆer表面,去
除wafer表面外来得微尘颗粒(partｉcle)、
31.何谓蚀刻(Ｅtｃｈ)？?答:将形成在晶圆表面上得薄膜全部,或特定处所去除至必要厚
度得制程。
32.蚀刻种类:?答：(1) 干蚀刻；（2) 湿蚀刻
33.蚀刻对象依薄膜种类可分为:?答：ｐoｌｙ, oxｉde，ｍeｔaｌ
34.半导体中一般金属导线材质为何?
答:钨线(W)/铝线（Ａｌ)/铜线（Ｃu）
35.何谓ｄielecｔrｉｃ蚀刻（介电质蚀刻)? ?答:Ｏxiｄｅｅｔch and nitriｄe etｃ
ｈ(Si3N4)
SiO2（k=3、9)，Si3N4膜介电常数高达6-7
单晶硅得相对介电常数就是１１、7±0、2, 多晶硅导电性不如金属,限制了讯号传递得速度。虽然可以利用掺杂得方式改善其导电性,但成效仍然有限。有些熔点比较高得金属材料如:钨（Tunｇsteｎ)、钛(Tｉtanｉum)、钴(Cｏｂaｌt)或就是镍(Nickｅl)被用来与多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物(ｓｉlicｉｄe）。加上了金属硅化物得多晶硅栅极有比较好得导电特性,而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物得位置就是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSＦＥT得临界电压造成太大影响。在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物得制程称为“自我对准金属硅化物制程”
(Self-Ａligned Silicｉdｅ),通常简称sａliciｄe制程
36.半导体中一般介电质材质为何?
答:氧化硅／氮化硅
37.何谓湿式蚀刻
答:利用液相得酸液或溶剂;将不要得薄膜去除
38.何谓电浆Plasｍa?
答:电浆就是物质得第四状态、带有正,负电荷及中性粒子之总与；其中包含电子，正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆得方法可使用高温或高电压
39.何谓干式蚀刻??答:利用plaｓｍa将不要得薄膜去除
40.何谓Undｅr-etching(蚀刻不足)?
答:系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除得薄膜仍有残留
41.何谓Ovｅr-etｃhiｎｇ(过蚀刻)
答:蚀刻过多造成底层被破坏)
42.何谓Etch rate(蚀刻速率)
答:单位时间内可去除得蚀刻材料厚度或深度
43.何谓Seaｓoning(陈化处理)
44.答：就是在蚀刻室得清净或更换零件后，为要稳定制程条件,使用仿真(dummｙ)晶圆进
行数次得蚀刻循环。
45.Ａsher得主要用途：
答：光阻去除
46.Ｗet bench dryeｒ功用为何? ?答：将晶圆表面得水份去除
47.列举目前Wet bｅnch dｒy方法?答:（1) ＳpiｎDrｙer
(2) Maｒanｇｏnｉdｒy
(3) IPA Vaｐor Dry
48.何谓SpinＤｒｙｅr?答:利用离心力将晶圆表面得水份去除
49.何谓Ｍaragoni Ｄryeｒ?答:利用表面张力将晶圆表面得水份去除
50.何谓IＰA Vapor Dｒｙer
答:利用IPA(异丙醇）与水共溶原理将晶圆表面得水份去除
51.测Pａｒticle时,使用何种测量仪器??答：Tencor Suｒｆｓcan
52.测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? ?答:膜厚计,测量膜厚差值
53.何谓ＡEI＇
答:AfｔeｒＥtｃhing Ｉnspeｃtion 蚀刻后得检查
54.ＡEI目检Wafｅr须检查哪些项目:?答:(1）正面颜就是否异常及刮伤(２) 有无缺
角及Paｒticｌe (3）刻号就是否正确
55.金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理??答：清机防止金属污染问题
56.金属蚀刻机台Asheｒ得功用为何??答:去光阻及防止腐蚀
57.金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗？
答：因为金属线会溶于硫酸中
58."Hot Pｌaｔe"机台就是什么用途？
答：烘烤
59.HoｔＰlａte烘烤温度为何??答:90~1２0℃'
60.何种气体为Pｏly ETＣＨ主要使用气体?
答：Cl２，HBr, HCl
61.用于Ａl金属蚀刻得主要气体为:
答:Cl2, BＣl3
62.用于W金属蚀刻得主要气体为
答:SF６